”彭练矛表示，度交达虽然目前最复杂的碳纳米管芯片的集成度只有几万个晶体管，与先进的硅基芯片的上百亿个晶体管相比有天壤之别。
但是，付量碳纳米管技术能够提供的芯片性能也是硅基芯片远远不可能达到的。
与硅基半导体技术相比，环比目前碳基技术的集成成熟度还不够，需要国家大力推进。
谈及碳芯片技术的产业化，增长彭练矛表示，增长首先需要投入资金和时间，没有类似硅基集成电路千亿元量级的投入和10-15年的研发时间，碳芯片技术是不可能成熟的。
在这些前提条件下，年第碳芯片产业化应该会在一些传统半导体技术不太适合的领域率先得到发展，年第例如对于未来互联网至关重要的高性能薄膜和传感电子,包括柔性可穿戴电子等领域；其次是目前传统半导体技术够不着的亚毫米波乃至太赫兹电子技术，特别是未来6G技术所需的能够在90GHz以上频段使用的集成电路技术。
“我国发展碳芯片面临的最大挑战不是来自技术，度交达而是一个最根本的判断：度交达硅基半导体技术可以一直走下去，再主导芯片技术几十年，而在这个过程中我国成功逆袭取得硅基芯片技术主导权。